экспоненциальный
91ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …
92ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС — разновидность электронного магнитного резонанса в ферромагнетиках и ферримагнетиках; проявляется в избирательном поглощении ферромагнетиком энергии эл. магн. поля при определ. (резонансных) значениях частоты w0 и внеш. магн, поля H0. При Ф. р.… …
93РАДИОАКТИВНОСТЬ — (от лат. radio излучаю, radius луч и activus действенный), способность нек рых ат. ядер самопроизвольно (спонтанно) превращаться в др. ядра с испусканием ч ц. К радиоактивным превращениям относятся: альфа распад, все виды бета распада (с… …
94АВТОЛОКАЛИЗАЦИЯ — (от греч. autos сам и лат. localis местный) квазичастиц в твёрдых телах возникновение сильной деформации кристаллич. решётки вокруг квазичастицы (электрона проводимости, дырки, экситона), приводящее к её локализации в потенциальной яме, созданной …
95ГЛУБИНА ПРОНИКНОВЕНИЯ — магнитного поля в сверхпроводник характерная толщина поверхностного слоя сверхпроводника, в к ром происходит спадание до нуля внеш. магн. поля (в глубине массивного сверхпроводника магнитное поле равно нулю, что связано с существованием… …
96ИНКРЕМЕНТ — (от лат. incrementum рост, увеличение) величина, характеризующая экспоненциальный рост амплитуды волны (или интенсивности) при развитии неустойчивости в нелинейной среде (напр., плазме). В случае собственных колебаний среды развитие… …
97КОНЦЕНТРАТОР — акустический устройство для увеличения интенсивности УЗ (амплитуды колебат. смещения частиц). По принципу действия различны два типа К.: фокусирующие, или высокочастотные, и стержневые, или низкочастотные. Фокусирующие К. увеличивают… …
98НЕУСТОЙЧИВОСТИ ПЛАЗМЫ — самопроизвольноенарастание отклонений от невозмущённого квазистационарного состояния плазмы(состояния равновесия, стационарного течения и т. п.), связанное либо спространств. неоднородностью плазмы, либо с неравновесным распределениемпо скоростям …
99p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …
100АКТИВИРОВАННОГО КОМПЛЕКСА ТЕОРИЯ — (теория переходного состояния, теория абс. скоростей р ций), простейший и исторически первый вариант статистич. теории хим. р ций. Разработана Э. Вигнером, М. Поляни, Г. Эйрингом, М. Эвансом в 30 х гг. 20 в. Позволяет приближенно рассчитывать… …
